دیتاشیت SI2302-HXY
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SI2302-HXY
|
| حجم فایل |
60.027
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
6
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
HXY MOSFET SI2302-HXY
-
Power Dissipation (Pd):
0.9W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
260pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
2.8A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.2V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
55mΩ@4.5V,2.8A
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
HXY MOSFET
